6 KITS DDR3 SUR LE GRILL

2008 sera l'année de la DDR3 … En effet si les kits de DDR2 sont quasiment à leur prix plancher, les kits DDR3 sont encore onéreux mais on peut penser que le virage vers ce type de mémoire est désormais amorcé. Il était donc assez naturel que Nokytech s'investisse quelques temps dans un comparatif en passant au crible un kit de chacune des ces grandes références du secteur.

La DDR3 en quelques mots …

Le propos ne sera pas ici de faire une présentation technique approfondie mais plutôt de mettre en avant quelques points de comparaison évidents et connus de tous.

Consommation amoindrie :

En premier lieu, la DDR3 se différencie de la génération précédente par une baisse significative de la consommation électrique.
En effet, l'évolution n'a de cesse d'aller en ce sens puisque si la tension de référence de la DDR1 était de 2,5v, elle a été abaissé à 1.8v pour le DDR2 et s'établit dorénavant à 1.5v avec la DDR3.

Cette prouesse est réalisable grâce aux progrès en termes de finesse de gravure puisque cette dernière n'excède pas 90nm dorénavant.

Rappel sur les timings mémoires

En surfant à droite et à gauche sur les forums, on peut s'apercevoir que si beaucoup discutent des timings mémoires, et que bien souvent, peu de personnes peuvent expliquer ces timings. Nous allons faire juste un petit rappel en prenant en compte les specifications suivantes :

Pour mieux comprendre les timings, il faut savoir que la mémoire est formatée sous forme d'une matrice, c'est à dire constituée de lignes et de colonnes. Les timings permettent de savoir à quelle cadence on va retrouver l'information.

1- Le CAS Latency (le premier timing) correspond au nombre de cycles nécessaires pour extraire la première partie de la donnée d'une cellule mémoire. Pour faire plus simple, plus le nombre de cycles sera réduit, plus la vitesse de lecture/ecriture sera élevée.

2- Le TRCD (seconde timing, ras to cas delay) est le nombre de cycles nécessaires entre un signal CAS (selection d'une colonne de la matrice) et un signal RAS (selection d'une ligne de la matrice).

3- Le TRP (troisieme timing, row precharge timing) trouve son explication au niveau éléctrique, en effet il s'agit du nombre de cycles d'attente nécessaires entre deux commandes passées au banc mémoire. Cette attente est nécessaire de manière à s'assurer de bien lire le signal puisque ce dernier correspond à un pic électrique. En quelque sorte et en vulgarisant, si les pics s'enchainent trop vite, il devient difficile de les distinguer.

4- Enfin le TRAS (dernier timing primaire, Min RAS active time) correspond au nombre de cycles entre l'activation et la désactivation d'une ligne. Si ce nombre de cycle etait trop court, la donnée n'aurait pas le temps d'etre transférée avec la cellule mémoire (données corrompues en fait).

Des timings relachés !

Maintenant que nous avons ces paramêtres en tête, il ne faut pas perdre de vue que si le " CAS Latency " usuel était de 2 à 3 en DDR1 (timings principaux de 2-2-2-5 à 3-4-4-8), il s'établissait plutôt à 4 ou 5 en DDR2 (timings principaux de 4-4-4-12 à 5-5-5-15) pour finalement atteindre 7 ou 8 en DDR3 (timings principaux de 7-7-7-21 à 8-8-8-24). Il vous faudra donc reprendre vos classiques et accepter le fait que 5-5-5-15 soit extraordinaire avec la DDR3 et qu'un 10-10-10-X pas forcément extravagant.

Fréquences élevées

Si les timings sont plus souples, la fréquence peut donc s'envoler plus facilement. Ainsi le marché de la DDR3 s'établit dans le haut de gamme autour de kits estampillés PC3-12800 (soit une fréquence ram de 800Mhz) ou encore PC3-14400 (soit 900Mhz). Le gigahertz est donc en point de mire et sera à n'en pas douter un seuil visé par les marques et les clockeurs de tout poil. En comparaison à la DDR1 ou DRR2 … PC3-12800 se situera globalement comme la PC2-6400 ou encore PC-3200.

Enfin, avant même d'entrer dans le vif du sujet, on peut d'ores et déjà signaler que la propension de la DDR3 à l'overclocking est plutôt bonne mais que les chipsets des cartes mères et les réglages compliquent sérieusement et rendent les OC mémoires plus difficiles à entreprendre.